IGBT varian baru Toshiba untuk sirkuit resonansi tegangan berkontribusi pada konsumsi daya yang rendah dan desain peralatan yang lebih mudah

IGBT varian baru Toshiba untuk sirkuit resonansi tegangan berkontribusi pada konsumsi daya yang rendah dan desain peralatan yang lebih mudah

Toshiba: IGBT yang berlainan 1350V "GT20N135SRA" untuk digunakan dalam sirkuit resonansi voltase pada kompor IH atas meja dan peralatan rumah tangga lainnya. (Antara/BUSINESS WIRE)

TOKYO--(Antara/BUSINESS WIRE)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah meluncurkan "GT20N135SRA," IGBT varian 1350V untuk digunakan dalam sirkuit resonansi tegangan di kompor meja IH, rice cooker IH, oven microwave dan peralatan rumah lainnya. Pengiriman mulai hari ini.

Untuk melihat rilis pers multimedia selengkapnya, klik di sini: https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/
 
GT20N135SRA memiliki fitur tegangan saturasi kolektor-emitor [1] sebesar 1,75V dan tegangan maju dioda [2] sebesar 1,8V, masing-masing sekitar 10% dan 21% lebih rendah daripada produk yang ada saat ini [3]. Baik IGBT dan dioda telah meningkatkan karakteristik kehilangan konduksi pada suhu tinggi (TC = 100 ), dan IGBT baru tersebut dapat membantu mengurangi konsumsi daya peralatan. Ia juga memiliki ketahanan termal persimpangan-ke-kasus 0,48 / W (maks), sekitar 26% lebih rendah dari produk yang ada saat ini [3], memungkinkan desain termal lebih mudah.

IGBT baru tersebut menekan arus hubung/sirkuit singkat yang mengalir melalui kapasitor resonansi ketika peralatan dihidupkan. Nilai puncak arus sirkuitnya [4] adalah 129A, sekitar 31% pengurangan dari produk yang ada saat ini [3]. Karena area operasi yang aman diperlebar, IGBT baru tersebut membuat desain peralatan lebih mudah dibandingkan dengan produk yang ada saat ini [3].

Aplikasi

Peralatan rumah tangga (seperti kompor meja IH, rice cooker IH dan oven microwave) yang menggunakan sirkuit resonansi tegangan

Fitur

Kehilangan konduksi yang rendah:
VCE(sat)=1.6V(typ.) (@IC=20A, VGE=15V, Ta=25)
VF=1.75V (typ.) (@IF=20A, VGE=0V, Ta=25)
Resistansi termal persimpangan-ke-kasus/ junction-to-case yang rendah: Rth (j-C) = 0,48 / W (maks)
Menekan arus hubung/sirkuit singkat yang mengalir melalui kapasitor resonansi saat peralatan dihidupkan.
Area operasi aman yang luas

Spesifikasi Utama

(Kecuali ditentukan lain, @ Ta = 25 C)
Nomor part    Kemasan    Rating maksimal absolut    Tegangan saturasi kolektor-emitter
VCE(sat)
typ.
@IC20A,
VGE=15V
(V)    Tegangan maju dioda
VF
typ.
@IF=20A,
VGE=0V
(V)    Waktu peralihan
(waktu jatuh)
tf
typ.
@Beban resistif
(s)    Resistansi termal persimpangan ke kasus
Rth(j-C)
max
(/W)
        Tegangan kolektor-emitter
VCES
(V)    Arus kolektor
(DC)
IC
@TC=25
(A)    Arus kolektor
(DC)
IC
@TC=100
(A)    Suhu persimpangan
Tj
()               
GT20N135SRA
TO-247    1350    40    20    175    1,60    1,75    0,25    0,48

Catatan:
[1] Pada Juni 2019, nilai/angka yang diukur oleh Toshiba. (Kondisi pengujian: IC = 20A, VGE = 15V, TC = 100 )
[2] Pada Juni 2019, nilai/angka yang diukur oleh Toshiba. (Kondisi pengujian: IF=20A, VGE=0V, TC=100)
[3] Produk Toshiba saat ini "GT40RR21"
[4] Pada Juni 2019, nilai/angka yang diukur oleh Toshiba. (Kondisi pengujian: VCC=300V, VGG=15V, C=0.33F, t=5s, Ta=25)

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang produk baru.
GT20N135SRA
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=GT20N135SRA

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang seri/produk Toshiba IGBT.
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/igbt-iegt/igbt.html

* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan dapat merupakan merek dagang dari masing-masing perusahaan.

Pertanyaan Pelanggan:
Power Device Sales & Marketing Department
Tel: +81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan, dan informasi kontak, terkini pada tanggal pengumuman tetapi dapat berubah sewaktu-waktu tanpa pemberitahuan sebelumnya.

Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation menggabungkan kekuatan perusahaan baru dengan pengetahuan pengalamannya. Sejak menjadi perusahaan independen pada bulan Juli 2017, kami telah mengambil tempat di antara perusahaan-perusahaan perangkat umum terkemuka, dan menawarkan pelanggan kami dan mitra bisnis solusi luar biasa dalam semikonduktor diskrit, sistem LSIs dan HDD.

19.000 karyawan kami di seluruh dunia berbagi tekad untuk memaksimalkan nilai produk kami, dan menekankan kolaborasi erat dengan pelanggan untuk mempromosikan penciptaan nilai bersama dan pasar baru. Kami berharap dapat meningkatkan penjualan tahunan yang kini melampaui 700 miliar yen (US $ 6 miliar) dan berkontribusi untuk masa depan yang lebih baik bagi orang-orang di mana pun berada.
Cari tahu lebih lanjut tentang kami di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

Baca versi aslinya di businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/

Kontak

Media Inquiries:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Digital Marketing Department
Chiaki Nagasawa
Tel: +81-3-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Pewarta : PR Wire
Editor: PR Wire
COPYRIGHT © ANTARA 1970